Применение рентгеновских методов изучения кристаллических веществ позволили выявить явления несовершенства кристаллических тел. Эти несовершенства были названы дефектами. Травление как избирательное растворение поверхности кристаллов с целью выявления симметрии, а иногда и химического состава этой поверхности впервые было использовано в 1816 г. Впоследствии, этот метод стал широко использоваться физиками и минералогами как инструмент, позволявший решать спорные вопросы в симметрии кристаллов. После открытия рентгеновских лучей он отступил на задний план до тех пор, пока в середине прошлого века не была показана связь распределения ямок травления по поверхности с дефектностью структуры кристаллов. На сегодняшний день, дефекты в кристаллических телах принято подразделять на 4 класса. В первом классе рассматриваются электронные дефекты, связанные с взаимодействием фотонов. Такие дефекты наиболее распространены и наблюдаются в виде временных изменений состояния ионизации. Ко второму классу относят дефекты структуры, возникающие в соответствии с законами термодинамики (стремление системы уменьшить свободную энергию) и встречающиеся во всех кристаллах. Следующий класс дефектов связан с примесными ионами. Последний класс дефектов отличается от остальных тем, что имеет размерность и связан с дислокациями, возникающими в результате роста кристаллических тел. В статье рассматриваются методика изучения дефектов кристаллических тел путем травления. Приводится классификация дефектов в кристаллических телах. Причины их возникновения, распространенность и взаимосвязь с физико-химическими свойствами кристаллов.

The use of x-ray methods for studying crystalline substances revealed the imperfection of crystalline bodies. These imperfections were called defects. Etching as selective dissolution of the surface of crystals in order to reveal the symmetry and sometimes chemical composition of this surface was first used in 1816. Subsequently, this method began to be widely used by physicists and mineralogists as a tool that allowed solving controversial issues in the symmetry of crystals. After the discovery of x-rays, he retreated into the background until in the middle of the last century, the relationship between the distribution of etching pits over the surface and the defective structure of the crystals was shown. Today, it is customary to subdivide defects in crystalline bodies into 4 classes. In the first class, electronic defects associated with the interaction of photons are considered. Such defects are most common and are observed in the form of temporary changes in the state of ionization. The second class includes structural defects that arise in accordance with the laws of thermodynamics (the desire of the system to reduce free energy) and are found in all crystals. The next class of defects is associated with impurity ions. The last class of defects differs from the rest in that it has a dimension and is associated with dislocations resulting from the growth of crystalline bodies. The article discusses the method of studying the defects of crystalline bodies by etching. The classification of defects in crystalline bodies is given. The causes of their occurrence, prevalence and relationship with the physicochemical properties of crystals.